1軸アクチュエータ SE4510A(E3)

1軸アクチュエータ SE4510A(E3) 黒田精工

ボールねじと直線案内機器を一体化し、複雑な精度調整が不要、取付工数の大幅な削減が可能。
直線運動部は、ボールねじ溝と同様にゴシックアーチを採用し、高精度の位置決め精度が可能。
U字形状のガイドレールの採用でコンパクトで高剛性を実現。
U字形状のガイドレールの中にスライドブロックを配置し、低断面構造とし省スペース化を実現。
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15119152 SE4510A-640W-E3NN-NN A(ロングブロック1個付) 標準仕様(黒染め) SE45 640 E3 なし 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15119177 SE4510A-640W-E3NN-NS A(ロングブロック1個付) 標準仕様(黒染め) SE45 640 E3 なし 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15119195 SE4510A-640W-E3NN-LN A(ロングブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 640 E3 なし 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15119213 SE4510A-640W-E3NN-LS A(ロングブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 640 E3 なし 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15119238 SE4510A-640W-E3NM-NN A(ロングブロック1個付) 標準仕様(黒染め) SE45 640 E3 M(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15119256 SE4510A-640W-E3NM-NS A(ロングブロック1個付) 標準仕様(黒染め) SE45 640 E3 M(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15119274 SE4510A-640W-E3NM-LN A(ロングブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 640 E3 M(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15119292 SE4510A-640W-E3NM-LS A(ロングブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 640 E3 M(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15119317 SE4510A-640W-E3NY-NN A(ロングブロック1個付) 標準仕様(黒染め) SE45 640 E3 Y(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15119353 SE4510A-640W-E3NY-LN A(ロングブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 640 E3 Y(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15119378 SE4510A-640W-E3NY-LS A(ロングブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 640 E3 Y(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15119396 SE4510A-640W-E3NC-NN A(ロングブロック1個付) 標準仕様(黒染め) SE45 640 E3 C(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15119432 SE4510A-640W-E3NC-LN A(ロングブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 640 E3 C(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15119457 SE4510A-640W-E3NC-LS A(ロングブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 640 E3 C(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15119475 SE4510A-640W-E3NP-NN A(ロングブロック1個付) 標準仕様(黒染め) SE45 640 E3 P(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15119493 SE4510A-640W-E3NP-NS A(ロングブロック1個付) 標準仕様(黒染め) SE45 640 E3 P(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15119518 SE4510A-640W-E3NP-LN A(ロングブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 640 E3 P(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15119536 SE4510A-640W-E3NP-LS A(ロングブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 640 E3 P(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15135155 SE4510A-740W-E3NN-NN A(ロングブロック1個付) 標準仕様(黒染め) SE45 740 E3 なし 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15135173 SE4510A-740W-E3NN-NS A(ロングブロック1個付) 標準仕様(黒染め) SE45 740 E3 なし 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15135198 SE4510A-740W-E3NN-LN A(ロングブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 740 E3 なし 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
305,000
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15135216 SE4510A-740W-E3NN-LS A(ロングブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 740 E3 なし 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
306,500
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15135234 SE4510A-740W-E3NM-NN A(ロングブロック1個付) 標準仕様(黒染め) SE45 740 E3 M(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15135252 SE4510A-740W-E3NM-NS A(ロングブロック1個付) 標準仕様(黒染め) SE45 740 E3 M(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
290,500
229,800
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15135277 SE4510A-740W-E3NM-LN A(ロングブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 740 E3 M(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
318,000
249,800
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15135295 SE4510A-740W-E3NM-LS A(ロングブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 740 E3 M(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15135313 SE4510A-740W-E3NY-NN A(ロングブロック1個付) 標準仕様(黒染め) SE45 740 E3 Y(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15135338 SE4510A-740W-E3NY-NS A(ロングブロック1個付) 標準仕様(黒染め) SE45 740 E3 Y(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
290,500
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15135356 SE4510A-740W-E3NY-LN A(ロングブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 740 E3 Y(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
318,000
249,800
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15135374 SE4510A-740W-E3NY-LS A(ロングブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 740 E3 Y(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
319,500
249,800
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15135392 SE4510A-740W-E3NC-NN A(ロングブロック1個付) 標準仕様(黒染め) SE45 740 E3 C(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
289,000
229,800
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15135417 SE4510A-740W-E3NC-NS A(ロングブロック1個付) 標準仕様(黒染め) SE45 740 E3 C(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
290,500
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15135435 SE4510A-740W-E3NC-LN A(ロングブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 740 E3 C(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
318,000
249,800
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15135453 SE4510A-740W-E3NC-LS A(ロングブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 740 E3 C(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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15135478 SE4510A-740W-E3NP-NN A(ロングブロック1個付) 標準仕様(黒染め) SE45 740 E3 P(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
289,000
229,800
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15135496 SE4510A-740W-E3NP-NS A(ロングブロック1個付) 標準仕様(黒染め) SE45 740 E3 P(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
290,500
229,800
252,780 (税込)
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15135514 SE4510A-740W-E3NP-LN A(ロングブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 740 E3 P(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
318,000
249,800
274,780 (税込)
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15135532 SE4510A-740W-E3NP-LS A(ロングブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 740 E3 P(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
319,500
249,800
274,780 (税込)
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15151158 SE4510A-840W-E3NN-NN A(ロングブロック1個付) 標準仕様(黒染め) SE45 840 E3 なし 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
327,000
259,800
285,780 (税込)
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15151176 SE4510A-840W-E3NN-NS A(ロングブロック1個付) 標準仕様(黒染め) SE45 840 E3 なし 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
328,500
259,800
285,780 (税込)
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15151194 SE4510A-840W-E3NN-LN A(ロングブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 840 E3 なし 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
358,000
279,800
307,780 (税込)
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15151212 SE4510A-840W-E3NN-LS A(ロングブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 840 E3 なし 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
359,500
289,800
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15151237 SE4510A-840W-E3NM-NN A(ロングブロック1個付) 標準仕様(黒染め) SE45 840 E3 M(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
340,000
269,800
296,780 (税込)
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15151255 SE4510A-840W-E3NM-NS A(ロングブロック1個付) 標準仕様(黒染め) SE45 840 E3 M(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
341,500
269,800
296,780 (税込)
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15151273 SE4510A-840W-E3NM-LN A(ロングブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 840 E3 M(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
371,000
289,800
318,780 (税込)
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15151298 SE4510A-840W-E3NM-LS A(ロングブロック1個付) 防錆黒色被膜処理 SE45 840 E3 M(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
372,500
299,800
329,780 (税込)
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15151316 SE4510A-840W-E3NY-NN A(ロングブロック1個付) 標準仕様(黒染め) SE45 840 E3 Y(フォトマイクロセンサ) 標準グリース なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
340,000
269,800
296,780 (税込)
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15151334 SE4510A-840W-E3NY-NS A(ロングブロック1個付) 標準仕様(黒染め) SE45 840 E3 Y(フォトマイクロセンサ) 低発塵グリース(クロダSグリース) なし W(繰返し位置決め精度:±10μm) 10
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269,800
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