STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET40 V 120 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン STMicro - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>受動部品>受動部品その他関連用品 -

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2026/06/17 12:50:17

STB100NF04T4 STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET40 V 120 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン STMicro 02199910

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STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET40 V 120 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン

7日出荷とは

注文コード	02199910
品番	STB100NF04T4
内容量	1袋(2個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥1,098

仕様:	●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 120 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 40 V●シリーズ： STripFET II●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 5 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 300 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 110 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応):	対応

仕様:

●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 120 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 40 V●シリーズ： STripFET II●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 5 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 300 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 110 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。

RoHS指令(10物質対応):

対応