STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET650 V 33 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン STMicro - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>受動部品>受動部品その他関連用品 -

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2026/05/28 00:05:38

STB42N65M5 STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET650 V 33 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン STMicro 02199980

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STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET650 V 33 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン

7日出荷とは

注文コード	02199980
品番	STB42N65M5
内容量	1セット(1000個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥1,698,000

仕様：	●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 33 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 650 V●シリーズ： MDmesh M5●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 79 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 190 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -25 V， +25 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●高さ： 4.6mm●STMicroelectronics N チャンネル MDmesh(TM) M5 シリーズ. MDmesh M5 パワー MOSFET は、高電力 PFC と PWM トポロジ向けに最適化されています。主な機能には、シリコンエリア当たりの低オン状態損失と低ゲート電荷の組み合わせなどがあります。太陽電池コンバータ、コンシューマ製品向け電源、電子照明制御など、省エネ指向のコンパクトで信頼性の高いハードスイッチング用途向けに設計されています。
RoHS指令(10物質対応)：	対応

仕様：

●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 33 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 650 V●シリーズ： MDmesh M5●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 79 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 190 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -25 V， +25 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●高さ： 4.6mm●STMicroelectronics N チャンネル MDmesh(TM) M5 シリーズ. MDmesh M5 パワー MOSFET は、高電力 PFC と PWM トポロジ向けに最適化されています。主な機能には、シリコンエリア当たりの低オン状態損失と低ゲート電荷の組み合わせなどがあります。太陽電池コンバータ、コンシューマ製品向け電源、電子照明制御など、省エネ指向のコンパクトで信頼性の高いハードスイッチング用途向けに設計されています。

RoHS指令(10物質対応)：

対応