STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET40 V 5 A 表面実装パッケージPowerSO 10 ピン STMicro - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>受動部品>受動部品その他関連用品 -

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2026/05/18 03:30:39

PD55015-E STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET40 V 5 A 表面実装パッケージPowerSO 10 ピン STMicro 02203035

STMicro
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET40 V 5 A 表面実装パッケージPowerSO 10 ピン

7日出荷とは

5月24日より価格改定を予定しております。新価格(税抜)は3,798円となります。

注文コード	02203035
品番	PD55015-E
内容量	1個
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥3,500

仕様：	●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 5 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 40 V●パッケージタイプ： PowerSO●実装タイプ：表面実装●ピン数： 10●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 5V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 73 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●標準パワーゲイン： 14 dBmm●STMicroelectronics RF MOSFET トランジスタ. この高周波トランジスタは、Lバンド衛星アップリンクに適したLDMOSと、1 MHz→2 GHzのアプリケーションに対応したDMOSパワートランジスタです。
RoHS指令(10物質対応)：	対応

仕様：

●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 5 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 40 V●パッケージタイプ： PowerSO●実装タイプ：表面実装●ピン数： 10●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 5V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 73 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●標準パワーゲイン： 14 dBmm●STMicroelectronics RF MOSFET トランジスタ. この高周波トランジスタは、Lバンド衛星アップリンクに適したLDMOSと、1 MHz→2 GHzのアプリケーションに対応したDMOSパワートランジスタです。

RoHS指令(10物質対応)：

対応