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| https://www.monotaro.com/p/0508/8417/ | 2026/05/26 21:41:15 |
![- 30×30mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板 アズワン 05088417](https://jp.images-monotaro.com/Monotaro3/pi/thum/mono05087261-241204-02.jpg) | アズワン 30×30mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板 |
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| 特長: | 研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。 |
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| 仕様: | ●サイズ(mm)：30×30●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。 |
| アズワン品番: | 68-1994-59 |
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