ON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 50 V， 130 mA， 3 ピンパッケージSOT-23 ON SEMICONDUCTOR - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

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2026/05/28 12:03:22

BSS84 ON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 50 V， 130 mA， 3 ピンパッケージSOT-23 ON SEMICONDUCTOR 40806274

ON SEMICONDUCTOR
ON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 50 V， 130 mA， 3 ピンパッケージSOT-23

5月24日より値下げいたしました。
大変申し訳ございませんが、入荷が遅れております。
6月2日までを目安に順次出荷いたします。

注文コード	40806274
品番	BSS84
内容量	1袋(10個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥289

仕様：	チャンネルタイプ = P 最大連続ドレイン電流 = 130 mA 最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω 最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V 最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V パッケージタイプ = SOT-23 実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3 チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET 最大パワー消費 = 360 mW 長さ = 2.92mm 強化モードPチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
RoHS指令(10物質対応)：	対応

仕様：

チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 130 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω
最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
パッケージタイプ = SOT-23
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 360 mW
長さ = 2.92mm
強化モードPチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。

RoHS指令(10物質対応)：

対応