ON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 120 mA， 3 ピンパッケージSOT-23 ON SEMICONDUCTOR - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

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2026/06/08 20:13:03

NDS0610 ON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 120 mA， 3 ピンパッケージSOT-23 ON SEMICONDUCTOR 40806773

ON SEMICONDUCTOR
ON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 120 mA， 3 ピンパッケージSOT-23

7日出荷とは

注文コード	40806773
品番	NDS0610
内容量	1袋(20個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥949

仕様:	チャンネルタイプ = P 最大連続ドレイン電流 = 120 mA 最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω 最低ゲートしきい値電圧 = 1V 最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V パッケージタイプ = SOT-23 実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET 最大パワー消費 = 360 mW 高さ = 0.93mm 強化モードPチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
RoHS指令(10物質対応):	対応

仕様:

チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 120 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
パッケージタイプ = SOT-23
実装タイプ = 表面実装
トランジスタ構成 = シングル
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 360 mW
高さ = 0.93mm
強化モードPチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。

RoHS指令(10物質対応):

対応