ON Semiconductor Nチャンネル小信号 MOSFET， 60 V， 200 mA， 3 ピンパッケージTO-92 ON SEMICONDUCTOR - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

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2026/05/09 09:10:35

2N7000 ON Semiconductor Nチャンネル小信号 MOSFET， 60 V， 200 mA， 3 ピンパッケージTO-92 ON SEMICONDUCTOR 40807096

ON SEMICONDUCTOR
ON Semiconductor Nチャンネル小信号 MOSFET， 60 V， 200 mA， 3 ピンパッケージTO-92

当日出荷とは

5月24日より価格改定を予定しております。新価格(税抜)は1,098円となります。

注文コード	40807096
品番	2N7000
内容量	1袋(20個)

単価(税別)

￥959

仕様：	チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 200 mA 最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ω 最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V 最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V パッケージタイプ = TO-92 実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 400 mW 標準入力キャパシタンス @ Vds = 20 pF @ 25 V 強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
RoHS指令(10物質対応)：	対応

仕様：

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 200 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ω
最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
パッケージタイプ = TO-92
実装タイプ = スルーホール
トランジスタ構成 = シングル
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = 小信号
最大パワー消費 = 400 mW
標準入力キャパシタンス @ Vds = 20 pF @ 25 V
強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。

RoHS指令(10物質対応)：

対応