ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 50 V， 30 A， 3 ピンパッケージTO-220AB ON SEMICONDUCTOR - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

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2026/06/06 19:56:53

BUZ11-NR4941 ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 50 V， 30 A， 3 ピンパッケージTO-220AB ON SEMICONDUCTOR 40809449

ON SEMICONDUCTOR
ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 50 V， 30 A， 3 ピンパッケージTO-220AB

翌々日出荷とは

注文コード	40809449
品番	BUZ11-NR4941
内容量	1袋(5個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥1,298

仕様:	チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 30 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ 最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V 最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V パッケージタイプ = TO-220AB 実装タイプ = スルーホールピン数 = 3 チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET 最大パワー消費 = 75W トランジスタ素材 = Si 強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
RoHS指令(10物質対応):	対応

仕様:

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 30 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ
最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
パッケージタイプ = TO-220AB
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 75W
トランジスタ素材 = Si
強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。

RoHS指令(10物質対応):

対応