Vishay N+PチャンネルパワーMOSFET， 20 V， 400 mA， 700 mA， 6 ピンパッケージSOT-363 (SC-88) VISHAY - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

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2026/05/28 16:43:18

SI1553CDL-T1-GE3 Vishay N+PチャンネルパワーMOSFET， 20 V， 400 mA， 700 mA， 6 ピンパッケージSOT-363 (SC-88) VISHAY 40999998

VISHAY
Vishay N+PチャンネルパワーMOSFET， 20 V， 400 mA， 700 mA， 6 ピンパッケージSOT-363 (SC-88)

7日出荷とは

注文コード	40999998
品番	SI1553CDL-T1-GE3
内容量	1袋(20個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥1,398

仕様:	チャンネルタイプ = N， P 最大連続ドレイン電流 = 400 mA， 700 mA 最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.48 Ω， 578 mΩ 最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V 最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88) 実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = 絶縁型チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET 最大パワー消費 = 340 mW 標準入力キャパシタンス @ Vds = 38 pF @ 10 V、43 pF @ -10 V デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応):	対応

仕様:

チャンネルタイプ = N， P
最大連続ドレイン電流 = 400 mA， 700 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.48 Ω， 578 mΩ
最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V
最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V
パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)
実装タイプ = 表面実装
トランジスタ構成 = 絶縁型
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 340 mW
標準入力キャパシタンス @ Vds = 38 pF @ 10 V、43 pF @ -10 V
デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

RoHS指令(10物質対応):

対応