ON Semiconductor N+PチャンネルパワーMOSFET， 30 V， 7.3 A、8.6 A， 8 ピンパッケージSOIC ON SEMICONDUCTOR - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

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2026/06/09 16:31:32

FDS8858CZ ON Semiconductor N+PチャンネルパワーMOSFET， 30 V， 7.3 A、8.6 A， 8 ピンパッケージSOIC ON SEMICONDUCTOR 41103537

ON SEMICONDUCTOR
ON Semiconductor N+PチャンネルパワーMOSFET， 30 V， 7.3 A、8.6 A， 8 ピンパッケージSOIC

7日出荷とは

注文コード	41103537
品番	FDS8858CZ
内容量	1袋(5個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥1,098

仕様:	チャンネルタイプ = N， P 最大連続ドレイン電流 = 7.3 A、8.6 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 17 mΩ， 21 mΩ 最低ゲートしきい値電圧 = 1V 最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V、-20 V、+20 V、+25 V パッケージタイプ = SOIC 実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8 チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET 最大パワー消費 = 1600 mW 寸法 = 5 x 4 x 1.5mm PowerTrench(R)デュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になるか、電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。
RoHS指令(10物質対応):	対応

仕様:

チャンネルタイプ = N， P
最大連続ドレイン電流 = 7.3 A、8.6 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 17 mΩ， 21 mΩ
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V、-20 V、+20 V、+25 V
パッケージタイプ = SOIC
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 1600 mW
寸法 = 5 x 4 x 1.5mm
PowerTrench(R)デュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になるか、電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。

RoHS指令(10物質対応):

対応