ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 300 V， 28 A， 3 ピンパッケージD2PAK (TO-263) ON SEMICONDUCTOR - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

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2026/06/06 00:24:19

FDB28N30TM ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 300 V， 28 A， 3 ピンパッケージD2PAK (TO-263) ON SEMICONDUCTOR 41105996

ON SEMICONDUCTOR
ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 300 V， 28 A， 3 ピンパッケージD2PAK (TO-263)

7日出荷とは

注文コード	41105996
品番	FDB28N30TM
内容量	1袋(2個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥669

仕様:	チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 28 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 300 V 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 129 mΩ 最低ゲートしきい値電圧 = 3V 最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V パッケージタイプ = D2PAK (TO-263) 実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3 チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET 最大パワー消費 = 250W 標準ターンオン遅延時間 = 35 ns UniFETΩ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFETΩ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-IIΩ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFETΩ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。
RoHS指令(10物質対応):	対応

仕様:

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 28 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 300 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 129 mΩ
最低ゲートしきい値電圧 = 3V
最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V
パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 250W
標準ターンオン遅延時間 = 35 ns
UniFETΩ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFETΩ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-IIΩ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFETΩ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

RoHS指令(10物質対応):

対応