ON Semiconductor Nチャンネル MOSFET， 250 V， 6.2 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252) UniFET シリーズ ON SEMICONDUCTOR - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

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2026/07/17 09:00:56

FDD7N25LZTM ON Semiconductor Nチャンネル MOSFET， 250 V， 6.2 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252) UniFET シリーズ ON SEMICONDUCTOR 41109873

ON SEMICONDUCTOR
ON Semiconductor Nチャンネル MOSFET， 250 V， 6.2 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252) UniFET シリーズ

7日出荷とは

注文コード	41109873
品番	FDD7N25LZTM
内容量	1枚(10個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥1,298

仕様:	チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 6.2 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 V 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 570 mΩ 最低ゲートしきい値電圧 = 3V 最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V パッケージタイプ = DPAK (TO-252) 実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3 チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 56 W 標準ターンオン遅延時間 = 10 ns UniFETΩ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFETΩ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-IIΩ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFETΩ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。
RoHS指令(10物質対応):	対応

仕様:

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 6.2 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 570 mΩ
最低ゲートしきい値電圧 = 3V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
パッケージタイプ = DPAK (TO-252)
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大パワー消費 = 56 W
標準ターンオン遅延時間 = 10 ns
UniFETΩ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFETΩ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-IIΩ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFETΩ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

RoHS指令(10物質対応):

対応