| 仕様: | ●出力デバイス：MOSFET●ピン数：8●パッケージタイプ：DIP●入力電流タイプ：DC●最大入力電流：50 mA●絶縁電圧：5000 V●フォトモスリレーGE (絶縁強化)、DIPタイプ. 低コストタイプで良好な値を実現 絶縁性が高いため、5000 Vの電圧に耐えられる入力/出力●入力側LED電流：50mA●入力側LED逆電圧：5V●入力側せん頭順電流：1A(f：100Hz、デューティ比=0.1%)●出力側出力損失：800mW●出力側ピーク負荷電流：1.5A(100ms(1shot)、VL=DC)●出力側連続負荷電流：0.5A(0.6A)(ピークAC、DC( )内は1a 1回路のみの使用の場合)●入出力端子間容量：0.8pF(平均)、1.5pF(最大)●入力動作LED電流：1.4mA(平均)、3mA(最大)●入力復帰LED電流：0.4mA(最小)、1.3mA(平均)●入力LED電圧降下：1.25V(IF = 5 mAのとき1.14V)(平均)、1.5V(最大) |
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| 寸法(mm): | 9.78×6.4×3.2 |
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| 接点構成: | - |
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| 耐電圧: | 5000Vrms |
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| 保存温度(℃): | -40～100 |
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| 絶縁抵抗(MΩ): | 1000(最小入出力間500V DC) |
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| 定格負荷電圧(V): | 60 |
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| 動作時間(ms): | 1(N.O.)・3(N.C.)(平均)、4(N.O.)・10(N.C.)(最大) |
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| 復帰時間(ms): | 0.05(N.O.)・0.2(N.C.)(平均)、1(最大) |
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| 出力オン抵抗(Ω): | 1(平均)、2.5(最大) |
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| 漏れ電流(μA): | (N.O.)1(出力、開路時、最大)・(N.C.)10(出力、開路時、最大) |
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| 負荷電流(A): | 0.5 |
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| 許容損失(mW): | 75(入力側)、850(全) |
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| ターミナルタイプ: | スルーホール |
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| 出力装置: | - |
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| 接合部温度(℃): | 125 |
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