ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 25 V， 680 mA， 3 ピンパッケージSOT-23 ON SEMICONDUCTOR - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

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2026/06/16 08:04:15

FDV303N ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 25 V， 680 mA， 3 ピンパッケージSOT-23 ON SEMICONDUCTOR 41204879

ON SEMICONDUCTOR
ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 25 V， 680 mA， 3 ピンパッケージSOT-23

翌々日出荷とは

注文コード	41204879
品番	FDV303N
内容量	1袋(100個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥1,998

仕様:	チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 680 mA 最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 V 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩ 最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V 最大ゲート-ソース間電圧 = +8 V パッケージタイプ = SOT-23 実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3 チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET 最大パワー消費 = 350 mW 動作温度 Min = -55 ℃ 強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
RoHS指令(10物質対応):	対応

仕様:

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 680 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩ
最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V
最大ゲート-ソース間電圧 = +8 V
パッケージタイプ = SOT-23
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 350 mW
動作温度 Min = -55 ℃
強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。

RoHS指令(10物質対応):

対応