ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 200 V， 9 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252) QFET シリーズ ON SEMICONDUCTOR - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

https://www.monotaro.com/p/4120/8975/

2026/05/10 23:59:10

FQD12N20LTM ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 200 V， 9 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252) QFET シリーズ ON SEMICONDUCTOR 41208975

ON SEMICONDUCTOR
ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 200 V， 9 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252) QFET シリーズ

7日出荷とは

5月24日より価格改定を予定しております。新価格(税抜)は999円となります。

注文コード	41208975
品番	FQD12N20LTM
内容量	1袋(5個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥899

仕様：	チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 9 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 280 mΩ 最低ゲートしきい値電圧 = 1V 最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V パッケージタイプ = DPAK (TO-252) 実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET 最大パワー消費 = 2500 mW 長さ = 6.6mm QFET(R) NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。高度なQFET(R)プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。
RoHS指令(10物質対応)：	対応

仕様：

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 9 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 280 mΩ
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
パッケージタイプ = DPAK (TO-252)
実装タイプ = 表面実装
トランジスタ構成 = シングル
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 2500 mW
長さ = 6.6mm
QFET(R) NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。高度なQFET(R)プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。

RoHS指令(10物質対応)：

対応