ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 100 V， 1.7 A， 3+Tab ピンパッケージSOT-223 QFET シリーズ ON SEMICONDUCTOR - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

https://www.monotaro.com/p/4120/9194/

2026/06/08 23:14:07

FQT7N10LTF ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 100 V， 1.7 A， 3+Tab ピンパッケージSOT-223 QFET シリーズ ON SEMICONDUCTOR 41209194

ON SEMICONDUCTOR
ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 100 V， 1.7 A， 3+Tab ピンパッケージSOT-223 QFET シリーズ

7日出荷とは

注文コード	41209194
品番	FQT7N10LTF
内容量	1袋(5個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥769

仕様:	チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 1.7 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 350 mΩ 最低ゲートしきい値電圧 = 1V 最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V パッケージタイプ = SOT-223 実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET 最大パワー消費 = 2000 mW トランジスタ素材 = Si QFET(R) NチャンネルMOSFET、最大5.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。高度なQFET(R)プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。
RoHS指令(10物質対応):	対応

仕様:

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 1.7 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 350 mΩ
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
パッケージタイプ = SOT-223
実装タイプ = 表面実装
トランジスタ構成 = シングル
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 2000 mW
トランジスタ素材 = Si
QFET(R) NチャンネルMOSFET、最大5.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。高度なQFET(R)プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。

RoHS指令(10物質対応):

対応