ON Semiconductor Nチャンネル小信号 MOSFET， 60 V， 280 mA， 3 ピンパッケージSOT-23 ON SEMICONDUCTOR - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

https://www.monotaro.com/p/4120/9298/

2026/05/30 00:34:31

NDS7002A ON Semiconductor Nチャンネル小信号 MOSFET， 60 V， 280 mA， 3 ピンパッケージSOT-23 ON SEMICONDUCTOR 41209298

ON SEMICONDUCTOR
ON Semiconductor Nチャンネル小信号 MOSFET， 60 V， 280 mA， 3 ピンパッケージSOT-23

翌々日出荷とは

5月24日より値下げいたしました。

注文コード	41209298
品番	NDS7002A
内容量	1袋(10個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥219

仕様:	チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 280 mA 最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2Ω 最低ゲートしきい値電圧 = 1V 最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V パッケージタイプ = SOT-23 実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 300 mW 寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm 強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
RoHS指令(10物質対応):	対応

仕様:

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 280 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2Ω
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
パッケージタイプ = SOT-23
実装タイプ = 表面実装
トランジスタ構成 = シングル
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = 小信号
最大パワー消費 = 300 mW
寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm
強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。

RoHS指令(10物質対応):

対応