ON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 27 A， 3 ピンパッケージTO-220AB QFET シリーズ ON SEMICONDUCTOR - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

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2026/05/13 06:38:26

FQP27P06 ON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 27 A， 3 ピンパッケージTO-220AB QFET シリーズ ON SEMICONDUCTOR 41210217

ON SEMICONDUCTOR
ON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 27 A， 3 ピンパッケージTO-220AB QFET シリーズ

当日出荷とは

5月24日より価格改定を予定しております。新価格(税抜)は2,498円となります。

注文コード	41210217
品番	FQP27P06
内容量	1袋(5個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥2,198

仕様：	チャンネルタイプ = P 最大連続ドレイン電流 = 27 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩ 最大ゲートしきい値電圧 = 4V 最低ゲートしきい値電圧 = 2V 最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V パッケージタイプ = TO-220AB 実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET 最大パワー消費 = 120000 mW 標準ターンオフ遅延時間 = 30 ns QFET(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。高度なQFET(R)プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。
RoHS指令(10物質対応)：	対応

仕様：

チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 27 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩ
最大ゲートしきい値電圧 = 4V
最低ゲートしきい値電圧 = 2V
最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V
パッケージタイプ = TO-220AB
実装タイプ = スルーホール
トランジスタ構成 = シングル
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 120000 mW
標準ターンオフ遅延時間 = 30 ns
QFET(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。高度なQFET(R)プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。

RoHS指令(10物質対応)：

対応