ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 500 mA， 3 ピンパッケージSOT-23 ON SEMICONDUCTOR - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

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2026/06/06 13:40:24

MMBF170 ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 500 mA， 3 ピンパッケージSOT-23 ON SEMICONDUCTOR 41212098

ON SEMICONDUCTOR
ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 500 mA， 3 ピンパッケージSOT-23

翌々日出荷とは

5月24日より値下げいたしました。

注文コード	41212098
品番	MMBF170
内容量	1袋(10個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥229

仕様:	チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 500 mA 最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5Ω 最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V 最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V パッケージタイプ = SOT-23 実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3 チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET 最大パワー消費 = 300 mW 1チップ当たりのエレメント数 = 1 強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
RoHS指令(10物質対応):	対応

仕様:

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 500 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5Ω
最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
パッケージタイプ = SOT-23
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 300 mW
1チップ当たりのエレメント数 = 1
強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。

RoHS指令(10物質対応):

対応