ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 500 V， 100 A， 3 ピンパッケージTO-264 UniFET シリーズ ON SEMICONDUCTOR - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

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2026/06/06 12:24:13

FDL100N50F ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 500 V， 100 A， 3 ピンパッケージTO-264 UniFET シリーズ ON SEMICONDUCTOR 41213778

ON SEMICONDUCTOR
ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 500 V， 100 A， 3 ピンパッケージTO-264 UniFET シリーズ

7日出荷とは

注文コード	41213778
品番	FDL100N50F
内容量	1個
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥2,998

仕様:	チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 100 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 55 mΩ 最低ゲートしきい値電圧 = 3V 最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V パッケージタイプ = TO-264 実装タイプ = スルーホールピン数 = 3 チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET 最大パワー消費 = 2.5 kW 1チップ当たりのエレメント数 = 1 UniFETΩ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFETΩ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-IIΩ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFETΩ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。
RoHS指令(10物質対応):	対応

仕様:

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 100 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 55 mΩ
最低ゲートしきい値電圧 = 3V
最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V
パッケージタイプ = TO-264
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 2.5 kW
1チップ当たりのエレメント数 = 1
UniFETΩ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFETΩ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-IIΩ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFETΩ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

RoHS指令(10物質対応):

対応