ON Semiconductor Nチャンネル MOSFET， 60 V， 400 mA， 3 ピンパッケージTO-92 ON SEMICONDUCTOR - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

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2026/05/23 09:55:38

BS270 ON Semiconductor Nチャンネル MOSFET， 60 V， 400 mA， 3 ピンパッケージTO-92 ON SEMICONDUCTOR 41220857

ON SEMICONDUCTOR
ON Semiconductor Nチャンネル MOSFET， 60 V， 400 mA， 3 ピンパッケージTO-92

7日出荷とは

5月24日より価格改定を予定しております。新価格(税抜)は2,898円となります。

注文コード	41220857
品番	BS270
内容量	1袋(50個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥2,698

仕様:	チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 400 mA 最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5Ω 最低ゲートしきい値電圧 = 1V 最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V パッケージタイプ = TO-92 実装タイプ = スルーホールピン数 = 3 チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 625 mW 長さ = 4.7mm 強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
RoHS指令(10物質対応):	対応

仕様:

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 400 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5Ω
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
パッケージタイプ = TO-92
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大パワー消費 = 625 mW
長さ = 4.7mm
強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。

RoHS指令(10物質対応):

対応