STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFET， 800 V， 250 mA， 3+Tab ピンパッケージSOT-223 STMicro - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

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2026/06/13 03:26:11

STN1NK80Z STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFET， 800 V， 250 mA， 3+Tab ピンパッケージSOT-223 STMicro 41332053

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STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFET， 800 V， 250 mA， 3+Tab ピンパッケージSOT-223

7日出荷とは

5月24日より値下げいたしました。

注文コード	41332053
品番	STN1NK80Z
内容量	1袋(10個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥1,198

仕様:	チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 250 mA 最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16Ω 最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V 最低ゲートしきい値電圧 = 3V 最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V パッケージタイプ = SOT-223 実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET 最大パワー消費 = 2500 mW 標準ターンオフ遅延時間 = 22 ns NチャンネルMDmeshΩ SuperMESHΩ、700 → 1200 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応):	対応

仕様:

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 250 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16Ω
最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V
最低ゲートしきい値電圧 = 3V
最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V
パッケージタイプ = SOT-223
実装タイプ = 表面実装
トランジスタ構成 = シングル
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 2500 mW
標準ターンオフ遅延時間 = 22 ns
NチャンネルMDmeshΩ SuperMESHΩ、700 → 1200 V、STMicroelectronics

RoHS指令(10物質対応):

対応