STMicroelectronics PチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 10 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252) STMicro - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

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2026/06/20 13:57:25

STD10P6F6 STMicroelectronics PチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 10 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252) STMicro 41332866

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STMicroelectronics PチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 10 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252)

7日出荷とは

注文コード	41332866
品番	STD10P6F6
内容量	1袋(20個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥2,598

仕様:	チャンネルタイプ = P 最大連続ドレイン電流 = 10 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 160 mΩ 最大ゲートしきい値電圧 = 4V 最低ゲートしきい値電圧 = 2V 最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V パッケージタイプ = DPAK (TO-252) 実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET 最大パワー消費 = 30 W 1チップ当たりのエレメント数 = 1 PチャンネルSTripFETΩパワーMOSFET、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応):	対応

仕様:

チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 10 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 160 mΩ
最大ゲートしきい値電圧 = 4V
最低ゲートしきい値電圧 = 2V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
パッケージタイプ = DPAK (TO-252)
実装タイプ = 表面実装
トランジスタ構成 = シングル
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 30 W
1チップ当たりのエレメント数 = 1
PチャンネルSTripFETΩパワーMOSFET、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。

RoHS指令(10物質対応):

対応