Toshiba NチャンネルパワーMOSFET MOSFET， 650 V， 9.3 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ東芝 - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

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2026/05/11 11:26:33

TK9A65W，S5X(M Toshiba NチャンネルパワーMOSFET MOSFET， 650 V， 9.3 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ東芝 41373003

東芝
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET MOSFET， 650 V， 9.3 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ

翌々日出荷とは

5月24日より価格改定を予定しております。新価格(税抜)は1,898円となります。

注文コード	41373003
品番	TK9A65W，S5X(M
内容量	1袋(5個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥1,198

仕様：	チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 9.3 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ 最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V 最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V 最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V パッケージタイプ = TO-220SIS 実装タイプ = スルーホールピン数 = 3 チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータ最大パワー消費 = 30 W 1チップ当たりのエレメント数 = 1 MOSFET Nチャンネル、TK8 / TK9シリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)：	対応

仕様：

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 9.3 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ
最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V
最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V
最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V
パッケージタイプ = TO-220SIS
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = スイッチングレギュレータ
最大パワー消費 = 30 W
1チップ当たりのエレメント数 = 1
MOSFET Nチャンネル、TK8 / TK9シリーズ、東芝

RoHS指令(10物質対応)：

対応