Toshiba Nチャンネル MOSFET， 650 V， 13.7 A， 3 ピンパッケージD2PAK (TO-263) DTMOSIV シリーズ東芝 - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

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2026/05/11 15:29:40

TK14G65W，RQ(S Toshiba Nチャンネル MOSFET， 650 V， 13.7 A， 3 ピンパッケージD2PAK (TO-263) DTMOSIV シリーズ東芝 41373055

東芝
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 650 V， 13.7 A， 3 ピンパッケージD2PAK (TO-263) DTMOSIV シリーズ

翌々日出荷とは

5月24日より価格改定を予定しております。新価格(税抜)は1,098円となります。

注文コード	41373055
品番	TK14G65W，RQ(S
内容量	1袋(5個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥829

仕様：	チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 13.7 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 250 mΩ 最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V 最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V 最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V パッケージタイプ = D2PAK (TO-263) 実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET 最大パワー消費 = 130 W 寸法 = 10.35 x 8.8 x 4.46mm MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)：	対応

仕様：

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 13.7 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 250 mΩ
最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V
最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V
最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V
パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)
実装タイプ = 表面実装
トランジスタ構成 = シングル
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET
最大パワー消費 = 130 W
寸法 = 10.35 x 8.8 x 4.46mm
MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝

RoHS指令(10物質対応)：

対応