Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 22 kΩ， 3-Pin ESM 東芝 - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>トランジスタ -

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2026/06/08 16:19:38

RN1108(F) Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 22 kΩ， 3-Pin ESM 東芝 41374927

東芝
Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 22 kΩ， 3-Pin ESM

翌々日出荷とは

注文コード	41374927
品番	RN1108(F)
内容量	1袋(5個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥209

仕様:	トランジスタタイプ = NPN 1チップ当たりのエレメント数 = 1 最大連続コレクタ電流 = 100 mA 最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V 標準入力抵抗 = 22 kΩ 実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESM ピン数 = 3 最小DC電流ゲイン = 80 トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V 最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V 標準抵抗比 = 0.47 動作温度 Max = +150 ℃ 抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージ
RoHS指令(10物質対応):	対応

仕様:

トランジスタタイプ = NPN
1チップ当たりのエレメント数 = 1
最大連続コレクタ電流 = 100 mA
最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V
標準入力抵抗 = 22 kΩ
実装タイプ = 表面実装
パッケージタイプ = ESM
ピン数 = 3
最小DC電流ゲイン = 80
トランジスタ構成 = シングル
最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V
最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V
標準抵抗比 = 0.47
動作温度 Max = +150 ℃
抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージ

RoHS指令(10物質対応):

対応