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| https://www.monotaro.com/p/4718/1786/ | 2026/11/08 15:31:55 |
 | STMicro STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET |
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| 仕様: | チャンネルタイプ：N 最大連続ドレイン電流：10 A 最大ドレイン-ソース間電圧：650 V 最大ドレイン-ソース間抵抗：430 mΩ 最大ゲートしきい値電圧：4V 最低ゲートしきい値電圧：2V 最大ゲート-ソース間電圧：-25 V， +25 V パッケージタイプ：DPAK (TO-252) 実装タイプ：表面実装 トランジスタ構成：シングル チャンネルモード：エンハンスメント型 カテゴリー：パワーMOSFET 最大パワー消費：110 W 標準ターンオン遅延時間：11 ns NチャンネルMDmesh(TM) M2シリーズ、STMicroelectronics. STMicroelecronics製の高電圧パワーMOSFEシリーズです。 低ゲート電荷と優れた出力静電容量が特長のMDmesh M2シリーズは、共鳴タイプのスイッチング電源(LLCコンバータ)に最適です。 |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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