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2026/05/15 03:56:01

STB100N6F7 STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFET STMicro 47181838

STMicro
STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFET

7日出荷とは

5月24日より価格改定を予定しております。新価格(税抜)は219,800円となります。

注文コード	47181838
品番	STB100N6F7
内容量	1セット(1000個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥189,800

仕様：	チャンネルタイプ：N 最大連続ドレイン電流：100 A 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V 最大ドレイン-ソース間抵抗：5.6 mΩ 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V パッケージタイプ：D2PAK (TO-263) 実装タイプ：表面実装ピン数：3 チャンネルモード：エンハンスメント型カテゴリー：パワーMOSFET 最大パワー消費：125 W トランジスタ素材：Si NチャンネルSTripFET(TM) F7シリーズ、STMicroelectronics. STMicroelectronics STripFET(TM) F7シリーズの低電圧MOSFETは、デバイスオン状態の抵抗が低く、内部静電容量とゲート電荷を抑え、スイッチングが高速で効率よくなっています。
RoHS指令(10物質対応)：	対応

仕様：

チャンネルタイプ：N
最大連続ドレイン電流：100 A
最大ドレイン-ソース間電圧：60 V
最大ドレイン-ソース間抵抗：5.6 mΩ
最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V
パッケージタイプ：D2PAK (TO-263)
実装タイプ：表面実装
ピン数：3
チャンネルモード：エンハンスメント型
カテゴリー：パワーMOSFET
最大パワー消費：125 W
トランジスタ素材：Si
NチャンネルSTripFET(TM) F7シリーズ、STMicroelectronics. STMicroelectronics STripFET(TM) F7シリーズの低電圧MOSFETは、デバイスオン状態の抵抗が低く、内部静電容量とゲート電荷を抑え、スイッチングが高速で効率よくなっています。

RoHS指令(10物質対応)：

対応