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| https://www.monotaro.com/p/4718/1847/ | 2026/08/10 03:27:19 |
 | STMicro STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET |
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| 仕様: | チャンネルタイプ：N 最大連続ドレイン電流：100 A 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V 最大ドレイン-ソース間抵抗：0.0056 Ω 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V パッケージタイプ：D2PAK (TO-263) 実装タイプ：表面実装 ピン数：3 チャンネルモード：エンハンスメント型 カテゴリー：パワーMOSFET 最大パワー消費：125 W 長さ：10.4mm NチャンネルSTripFET(TM) F7シリーズ、STMicroelectronics. STMicroelectronics STripFET(TM) F7シリーズの低電圧MOSFETは、デバイスオン状態の抵抗が低く、内部静電容量とゲート電荷を抑え、スイッチングが高速で効率よくなっています。 |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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