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2026/05/11 00:41:27

STP110N10F7 STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFET STMicro 47182188

STMicro
STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFET

7日出荷とは

5月24日より価格改定を予定しております。新価格(税抜)は2,798円となります。

注文コード	47182188
品番	STP110N10F7
内容量	1袋(5個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥2,498

仕様：	チャンネルタイプ：N 最大連続ドレイン電流：110 A 最大ドレイン-ソース間電圧：100 V 最大ドレイン-ソース間抵抗：7 mΩ 最大ゲートしきい値電圧：4.5V 最低ゲートしきい値電圧：2.5V 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V パッケージタイプ：TO-220 実装タイプ：スルーホールピン数：3 チャンネルモード：エンハンスメント型カテゴリー：パワーMOSFET 最大パワー消費：150 W 標準ゲートチャージ @ Vgs：72 nC @ 10 V NチャンネルSTripFET(TM) H7シリーズ、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)：	対応

仕様：

チャンネルタイプ：N
最大連続ドレイン電流：110 A
最大ドレイン-ソース間電圧：100 V
最大ドレイン-ソース間抵抗：7 mΩ
最大ゲートしきい値電圧：4.5V
最低ゲートしきい値電圧：2.5V
最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V
パッケージタイプ：TO-220
実装タイプ：スルーホール
ピン数：3
チャンネルモード：エンハンスメント型
カテゴリー：パワーMOSFET
最大パワー消費：150 W
標準ゲートチャージ @ Vgs：72 nC @ 10 V
NチャンネルSTripFET(TM) H7シリーズ、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。

RoHS指令(10物質対応)：

対応