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| https://www.monotaro.com/p/4718/2617/ | 2026/05/25 23:00:19 |
 | STMicro STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET |
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| 仕様: | チャンネルタイプ：N 最大連続ドレイン電流：120 A 最大ドレイン-ソース間電圧：75 V 最大ドレイン-ソース間抵抗：8 mΩ 最大ゲートしきい値電圧：4V 最低ゲートしきい値電圧：2V 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V パッケージタイプ：D2PAK (TO-263) 実装タイプ：表面実装 トランジスタ構成：シングル チャンネルモード：エンハンスメント型 カテゴリー：パワーMOSFET 最大パワー消費：310 W 標準ターンオフ遅延時間：130 ns NチャンネルSTripFET(TM) F3、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。 |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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