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2026/08/09 22:08:48

STB18N60M2 STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFET STMicro 47182854

STMicro
STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFET

7日出荷とは

8月23日より価格改定を予定しております。新価格(税抜)は2,598円となります。

注文コード	47182854
品番	STB18N60M2
内容量	1袋(5個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥2,198

仕様:	チャンネルタイプ：N 最大連続ドレイン電流：13 A 最大ドレイン-ソース間電圧：650 V 最大ドレイン-ソース間抵抗：280 mΩ 最大ゲートしきい値電圧：4V 最低ゲートしきい値電圧：2V 最大ゲート-ソース間電圧：-25 V， +25 V パッケージタイプ：D2PAK (TO-263) 実装タイプ：表面実装ピン数：3 チャンネルモード：エンハンスメント型カテゴリー：パワーMOSFET 最大パワー消費：110 W 標準ターンオン遅延時間：12ns NチャンネルMDmesh(TM)) M2シリーズ、STMicroelectronics. STMicroelecronics製の高電圧パワーMOSFEシリーズです。低ゲート電荷と優れた出力静電容量が特長のMDmesh M2シリーズは、共鳴タイプのスイッチング電源(LLCコンバータ)に最適です。
RoHS指令(10物質対応):	対応

仕様:

チャンネルタイプ：N
最大連続ドレイン電流：13 A
最大ドレイン-ソース間電圧：650 V
最大ドレイン-ソース間抵抗：280 mΩ
最大ゲートしきい値電圧：4V
最低ゲートしきい値電圧：2V
最大ゲート-ソース間電圧：-25 V， +25 V
パッケージタイプ：D2PAK (TO-263)
実装タイプ：表面実装
ピン数：3
チャンネルモード：エンハンスメント型
カテゴリー：パワーMOSFET
最大パワー消費：110 W
標準ターンオン遅延時間：12ns
NチャンネルMDmesh(TM)) M2シリーズ、STMicroelectronics. STMicroelecronics製の高電圧パワーMOSFEシリーズです。低ゲート電荷と優れた出力静電容量が特長のMDmesh M2シリーズは、共鳴タイプのスイッチング電源(LLCコンバータ)に最適です。

RoHS指令(10物質対応):

対応