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| https://www.monotaro.com/p/4718/3037/ | 2026/06/07 20:23:32 |
 | STMicro STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET |
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| 仕様: | チャンネルタイプ：N 最大連続ドレイン電流：140 A 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V 最大ドレイン-ソース間抵抗：2 mΩ 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V パッケージタイプ：PowerFLAT 実装タイプ：表面実装 ピン数：8 チャンネルモード：エンハンスメント型 カテゴリー：パワーMOSFET 最大パワー消費：125 W 標準ターンオン遅延時間：24 ns NチャンネルSTripFET(TM) F7シリーズ、STMicroelectronics. STMicroelectronics STripFET(TM) F7シリーズの低電圧MOSFETは、デバイスオン状態の抵抗が低く、内部静電容量とゲート電荷を抑え、スイッチングが高速で効率よくなっています。 |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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