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| https://www.monotaro.com/p/4718/3134/ | 2026/06/26 02:15:50 |
 | STMicro STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET |
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| 仕様: | チャンネルタイプ：N 最大連続ドレイン電流：15 A 最大ドレイン-ソース間電圧：710 V 最大ドレイン-ソース間抵抗：220 mΩ 最大ゲートしきい値電圧：5V 最低ゲートしきい値電圧：3V 最大ゲート-ソース間電圧：-25 V， +25 V パッケージタイプ：DPAK (TO-252) 実装タイプ：表面実装 ピン数：3 チャンネルモード：エンハンスメント型 カテゴリー：パワーMOSFET 最大パワー消費：110 W 標準入力キャパシタンス @ Vds：1240 pF @ 10 V NチャンネルMDmesh(TM) M5シリーズ、STMicroelectronics. MDmesh M5パワーMOSFETは、高出力PFC及びPWMトポロジ向けに最適化されています。 シリコン区画あたりのオンステート損失の低さと低ゲート電荷が特長です。 太陽電池コンバータ、コンシューマ製品向け電源、電子照明制御など、省エネ指向のコンパクトで信頼性の高いハードスイッチング用途向けに設計されています。 |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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