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| https://www.monotaro.com/p/4718/3545/ | 2026/11/08 15:37:06 |
![]() | STMicro STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET |
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| 仕様: | チャンネルタイプ:N 最大連続ドレイン電流:180 A 最大ドレイン-ソース間電圧:100 V 最大ドレイン-ソース間抵抗:2.3 mΩ 最大ゲートしきい値電圧:4.5V 最低ゲートしきい値電圧:2.5V 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V パッケージタイプ:H2PAK 実装タイプ:表面実装 ピン数:3 チャンネルモード:エンハンスメント型 カテゴリー:パワーMOSFET 最大パワー消費:315 W 標準ターンオフ遅延時間:148 ns NチャンネルSTripFET(TM) H7シリーズ、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。 |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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