STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFET STMicro - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

https://www.monotaro.com/p/4718/3554/

2026/11/08 15:38:11

STH310N10F7-2 STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFET STMicro 47183554

STMicro
STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFET

8日出荷とは

注文コード	47183554
品番	STH310N10F7-2
内容量	1袋(2個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥2,298

仕様:	チャンネルタイプ：N 最大連続ドレイン電流：180 A 最大ドレイン-ソース間電圧：100 V 最大ドレイン-ソース間抵抗：2.3 mΩ 最大ゲートしきい値電圧：4.5V 最低ゲートしきい値電圧：2.5V 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V パッケージタイプ：H2PAK 実装タイプ：表面実装ピン数：3 チャンネルモード：エンハンスメント型カテゴリー：パワーMOSFET 最大パワー消費：315 W 標準ターンオフ遅延時間：148 ns NチャンネルSTripFET(TM) H7シリーズ、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応):	対応

仕様:

チャンネルタイプ：N
最大連続ドレイン電流：180 A
最大ドレイン-ソース間電圧：100 V
最大ドレイン-ソース間抵抗：2.3 mΩ
最大ゲートしきい値電圧：4.5V
最低ゲートしきい値電圧：2.5V
最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V
パッケージタイプ：H2PAK
実装タイプ：表面実装
ピン数：3
チャンネルモード：エンハンスメント型
カテゴリー：パワーMOSFET
最大パワー消費：315 W
標準ターンオフ遅延時間：148 ns
NチャンネルSTripFET(TM) H7シリーズ、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。

RoHS指令(10物質対応):

対応