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2026/06/21 17:33:31

STR2P3LLH6 STMicroelectronics PチャンネルパワーMOSFET STMicro 47187124

STMicro
STMicroelectronics PチャンネルパワーMOSFET

7日出荷とは

5月24日より値下げいたしました。

注文コード	47187124
品番	STR2P3LLH6
内容量	1袋(50個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥2,698

仕様:	チャンネルタイプ：P 最大連続ドレイン電流：2 A 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V 最大ドレイン-ソース間抵抗：90 mΩ 最大ゲートしきい値電圧：2.5V 最低ゲートしきい値電圧：1V 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V パッケージタイプ：SOT-23 実装タイプ：表面実装トランジスタ構成：シングルチャンネルモード：エンハンスメント型カテゴリー：パワーMOSFET 最大パワー消費：350 mW 順方向ダイオード電圧：1.1V PチャンネルSTripFET(TM)パワーMOSFET、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応):	対応

仕様:

チャンネルタイプ：P
最大連続ドレイン電流：2 A
最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
最大ドレイン-ソース間抵抗：90 mΩ
最大ゲートしきい値電圧：2.5V
最低ゲートしきい値電圧：1V
最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V
パッケージタイプ：SOT-23
実装タイプ：表面実装
トランジスタ構成：シングル
チャンネルモード：エンハンスメント型
カテゴリー：パワーMOSFET
最大パワー消費：350 mW
順方向ダイオード電圧：1.1V
PチャンネルSTripFET(TM)パワーMOSFET、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。

RoHS指令(10物質対応):

対応