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| https://www.monotaro.com/p/4718/7167/ | 2026/06/21 17:34:48 |
 | STMicro STMicroelectronics Pチャンネル パワーMOSFET |
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| 仕様: | チャンネルタイプ：P 最大連続ドレイン電流：60 A 最大ドレイン-ソース間電圧：40 V 最大ドレイン-ソース間抵抗：19 mΩ 最低ゲートしきい値電圧：1V 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V パッケージタイプ：PowerFLAT 実装タイプ：表面実装 トランジスタ構成：シングル チャンネルモード：エンハンスメント型 カテゴリー：パワーMOSFET 最大パワー消費：100 W 標準ターンオン遅延時間：49.4 ns PチャンネルSTripFET(TM)パワーMOSFET、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。 |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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