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![]() | TAIWAN SEMICONDUCTOR Taiwan Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET |
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| 仕様: | チャンネルタイプ:N 最大連続ドレイン電流:2.8 A 最大ドレイン-ソース間電圧:20 V 最大ドレイン-ソース間抵抗:65 mΩ 最大ゲートしきい値電圧:1.2V 最大ゲート-ソース間電圧:-8 V, +8 V パッケージタイプ:SOT-23 実装タイプ:表面実装 ピン数:3 チャンネルモード:エンハンスメント型 カテゴリー:パワーMOSFET 最大パワー消費:900 mW 動作温度 Min:-55 ℃ NチャンネルパワーMOSFET、Taiwan Semiconductor |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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