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TAIWAN SEMICONDUCTOR
Taiwan Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET   |
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大変申し訳ございませんが、この商品は取り扱いを終了いたしました。
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| 仕様： |
チャンネルタイプ：N 最大連続ドレイン電流：23 A 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V 最大ドレイン-ソース間抵抗：15 mΩ 最大ゲートしきい値電圧：2.5V 最低ゲートしきい値電圧：1.2V 最大ゲート-ソース間電圧：±20 V パッケージタイプ：SOP 実装タイプ：表面実装 トランジスタ構成：シングル チャンネルモード：エンハンスメント型 カテゴリー：パワーMOSFET 最大パワー消費：12.5 W 動作温度 Min：-55 ℃ |
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