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| https://www.monotaro.com/p/4721/5639/ | 2026/05/10 05:10:43 |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR
Taiwan Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET |
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| 仕様: |
チャンネルタイプ:N 最大連続ドレイン電流:55 A 最大ドレイン-ソース間電圧:30 V 最大ドレイン-ソース間抵抗:13 mΩ 最大ゲートしきい値電圧:2.5V 最低ゲートしきい値電圧:1V 最大ゲート-ソース間電圧:±20 V パッケージタイプ:TO-252 実装タイプ:表面実装 トランジスタ構成:シングル チャンネルモード:エンハンスメント型 カテゴリー:パワーMOSFET 最大パワー消費:40 W 長さ:6.5mm |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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