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![]() | TAIWAN SEMICONDUCTOR Taiwan Semiconductor Pチャンネル MOSFET |
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| 仕様: | チャンネルタイプ:P 最大連続ドレイン電流:3 A 最大ドレイン-ソース間電圧:30 V 最大ドレイン-ソース間抵抗:140 mΩ 最大ゲートしきい値電圧:3V 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V パッケージタイプ:SOT-23 実装タイプ:表面実装 ピン数:3 チャンネルモード:エンハンスメント型 最大パワー消費:1.25 W 長さ:3.1mm PチャンネルパワーMOSFET、Taiwan Semiconductor |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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