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FQD19N10LTM ON Semiconductor MOSFET ON SEMICONDUCTOR 47676774
ON SEMICONDUCTOR
ON Semiconductor MOSFET
取り扱い終了
大変申し訳ございませんが、この商品は取り扱いを終了いたしました。
注文コード47676774
品番FQD19N10LTM
内容量1リール(2500個)
参考基準価格(税別)オープン
仕様:【カテゴリー】パワーMOSFET、QFETRNチャンネルMOSFET、11~30A、FairchildSemiconductor.FairchildSemiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。
ピン数(ピン):3
RoHS指令(10物質対応):対応
パッケージ:DPAK(TO-252)
実装タイプ:表面実装
1チップ当たりのエレメント数:1
チャンネルタイプ:N
最大パワー消費(W):2.5
チャンネルモード:エンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A):15.6
最大ドレイン-ソース間電圧(V):100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ):100
最小ゲートしきい値電圧(V):1
最大ゲート-ソース間電圧(V):-20・20
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