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| https://www.monotaro.com/p/4769/3784/ | 2026/07/04 02:25:04 |
 | ON SEMICONDUCTOR ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET |
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| 仕様: | QFETRNチャンネルMOSFET、6～10.9A、FairchildSemiconductor.FairchildSemiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC(力率補正)、DCDCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。 |
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| ピン数(ピン): | 3 |
| 動作温度(℃): | -55 |
| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
| パッケージ: | TO3PN |
| 実装タイプ: | スルーホール |
| チャンネルタイプ: | N |
| 最大パワー消費(W): | 225 |
| チャンネルモード: | エンハンスメント型 |
| 最大連続ドレイン電流(A): | 8 |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(V): | 1000 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω): | 1.45 |
| 最小ゲートしきい値電圧(V): | 3 |
| 最大ゲート-ソース間電圧(V): | -30、30 |
| カテゴリー: | パワーMOSFET |
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