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| https://www.monotaro.com/p/4786/6474/ | 2026/05/30 06:19:19 |
 | nexperia NXP PNP トランジスタ 表面実装  |
大変申し訳ございませんが、この商品は取り扱いを終了いたしました。 |
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| 仕様: | 低飽和電圧PNPトランジスタ、Nexperia.NXPBISS(BreakthroughInSmallSignal)低飽和電圧PNPバイポーラ接合トランジスタ製品です。このデバイスは、非常に低いコレクタエミッタ飽和電圧と高いコレクタ電流容量を特長とし、小型省スペースのパッケージに収められています。このトランジスタは、損失が低減しているため、スイッチング用途やデジタル用途で使用されると、低発熱で効率が全体的に高まります。 |
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| ピン数(ピン): | 4 |
| パッケージ: | UPAK |
| 実装タイプ: | 表面実装 |
| 1チップ当たりのエレメント数: | 1 |
| 最大コレクタ-エミッタ間電圧(V): | 60 |
| 最大パワー消費(W): | 2.1 |
| 最大エミッタ-ベース間電圧(V): | 5 |
| 最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧(V): | 0.31 |
| 最大コレクタ-ベース間電圧(V): | 60 |
| トランジスタ構成: | シングル |
| 最大DCコレクタ電流(A): | 4.2 |
| トランジスタタイプ: | PNP |
| 最小DC電流ゲイン: | 60 |
| 最大動作周波数(MHz): | 130 |
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