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| https://www.monotaro.com/p/4789/9697/ | 2026/07/04 00:15:47 |
 | ON SEMICONDUCTOR ON Semiconductor Nチャンネル MOSFET  |
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| チャンネルタイプ: | N |
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| 最大連続ドレイン電流(A): | 7.4 |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(V): | 600 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ): | 600 |
| 最小ゲートしきい値電圧(V): | 2.5 |
| 最大ゲート-ソース間電圧(V): | 30 |
| パッケージ: | TO-220F |
| 実装タイプ: | スルーホール |
| チャンネルモード: | エンハンスメント型 |
| 最大パワー消費(W): | 28 |
| 1チップ当たりのエレメント数: | 1 |
| 仕様: | 【カテゴリー】高電圧、SuperFETR/SuperFETRIINチャンネルMOSFET、FairchildSemiconductor.Fairchildは、スーパージャンクション技術を採用したSuperFETRII高電圧パワーMOSFETファミリを追加しました。この製品は、高い電力密度、システム効率、信頼性を必要とするサーバー、通信、産業用電源、UPS/ESS、太陽光インバータ、照明用途などのAC-DCスイッチモード電源(SMPS)で使用されるクラス最高の堅牢なボディダイオードの性能を発揮します。高度な電荷量バランス技術を採用しているので、基板上で占有するスペースが小さく、信頼性が向上するため、より効率的で、コスト効果が高く、高性能なソリューションを達成できます。 |
| トランジスタ構成: | シングル |
| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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