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2026/05/13 20:14:49

ROHM
ROHM N+PチャンネルパワーMOSFET

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注文コード	48467923
品番	HP8M31TB1
内容量	1袋(10個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥3,298

仕様：	チャンネルタイプ：N， P 、最大連続ドレイン電流：8.5 A (Nチャンネル)， 8.5 A (Pチャンネル) 、最大ドレイン-ソース間電圧：60 V (Nチャンネル)， 60 V (Pチャンネル) 、最大ドレイン-ソース間抵抗：73 mΩ (Nチャンネル)， 80 mΩ (Pチャンネル) 、最大ゲートしきい値電圧：3 (N Channel) V， 3 (P Channel) V 、最低ゲートしきい値電圧：1 (N Channel) V， 1 (P Channel) V 、最大ゲート-ソース間電圧：±20 V (Nチャンネル)， ±20 V (Pチャンネル) 、パッケージタイプ：HSOP 、実装タイプ：表面実装、ピン数：8 、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：パワーMOSFET 、最大パワー消費：7 W 、動作温度 Min：-55 ℃

仕様：

チャンネルタイプ：N， P 、最大連続ドレイン電流：8.5 A (Nチャンネル)， 8.5 A (Pチャンネル) 、最大ドレイン-ソース間電圧：60 V (Nチャンネル)， 60 V (Pチャンネル) 、最大ドレイン-ソース間抵抗：73 mΩ (Nチャンネル)， 80 mΩ (Pチャンネル) 、最大ゲートしきい値電圧：3 (N Channel) V， 3 (P Channel) V 、最低ゲートしきい値電圧：1 (N Channel) V， 1 (P Channel) V 、最大ゲート-ソース間電圧：±20 V (Nチャンネル)， ±20 V (Pチャンネル) 、パッケージタイプ：HSOP 、実装タイプ：表面実装、ピン数：8 、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：パワーMOSFET 、最大パワー消費：7 W 、動作温度 Min：-55 ℃