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![]() | 東芝 Toshiba Pチャンネル MOSFET |
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| 高さ(mm): | 2.3 |
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| パッケージ: | DPAK |
| 実装タイプ: | 表面実装 |
| チャンネルタイプ: | P |
| 最大パワー消費(W): | 90 |
| チャンネルモード: | エンハンスメント型 |
| 最大連続ドレイン電流(A): | 60 |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(V): | 40 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ): | 9.4 |
| 最大ゲートしきい値電圧(V): | 3 |
| 最小ゲートしきい値電圧(V): | 2 |
| 最大ゲート-ソース間電圧(V): | -20、+10 |
| トランジスタ構成: | シングル |
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