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![]() | 東芝 Toshiba デュアル Nチャンネル MOSFET |
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| チャンネルタイプ: | N |
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| 最大連続ドレイン電流(mA): | 180 |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(V): | 20 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω): | 20 |
| 最大ゲートしきい値電圧(V): | 1 |
| 最小ゲートしきい値電圧(V): | 0.4 |
| 最大ゲート-ソース間電圧(V): | ±10 |
| パッケージ: | SOT-563 |
| 実装タイプ: | 表面実装 |
| ピン数(ピン): | 6 |
| チャンネルモード: | エンハンスメント型 |
| 最大パワー消費(mW): | 150 |
| 標準ターンオフ遅延時間(ns): | 300 |
| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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